Научным коллективом кафедры «Физика и электроника» ЮРГПУ(НПИ) в рамках гранта Президента РФ МК-5115.2016.8 (руководитель д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н.) опубликована научная статья в престижном международном журнале Beilstein Journal of Nanotechnology: «Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering»
Sergei N. Chebotarev, Alexander S. Pashchenko, Leonid S. Lunin, Elena N. Zhivotova, Georgy A. Erimeev, Marina L. Lunina // Beilstein J. Nanotechnol. 2017, 8, 12–20.

Журнал Beilstein Journal of Nanotechnology, издаваемый немецким научно-исследовательским институтом из г. Франкфурт-на-Майне, является одним из наиболее авторитетных международных журналов в области физики, нанотехнологий, материаловедения и электроники. Журнал входит в первую квартиль научных журналов (Q1) с импакт-фактором 3,04. Журнал придерживается правил Open Access, но не берет плату за публикацию статей. Это означает, что данная статья доступна для чтения и скачивания с любого компьютера без подписки: DOI:10.3762/bjnano.8.2.


Статья обобщает закономерности ионно-лучевой кристаллизации квантово-размерных наногетероструктур InAs/GaAs с уникальными физическими свойствами, проявляющимися в формировании промежуточной подзоны внутри запрещенной зоны матричного полупроводникового материала. Результаты работы имеют не только фундаментальное значение для понимания закономерностей кристаллизации таких наноструктур, но и обладают значительным прикладным потенциалом для создания оптоэлектронных ИК-фотодетекторов и высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей нового типа.

Поздравляем наших ученых с публикацией в столь престижном научном журнале!