С 3 по 6 апреля в Санкт-Петербургском Академическом университете прошла четвертая Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам "Saint Petersburg OPEN 2017".

Свои доклады представили участники из двенадцати стран и двадцати четырех российских городов, в том числе молодые ученые ЮРГПУ (НПИ) им. М.И. Платова: аспирант Давид Арустамян (науч. рук. профессор кафедры “Физика и электроника”, д.ф.-м.н. Лунин Л.С.), соискатель Алексей Яценко (науч. рук. зав. кафедрой “Физика и электроника”, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н.), студентка Анастасия Варнавская (дипл. рук. зав. кафедрой “Физика и электроника”, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н.)

Участники конференции - аспирант Арустамян Д.А. (слева),
инженер ЦКП “Нанотехнологии ЮРГПУ(НПИ)” Яценко А.Н. (справа), студентка ИФИО 4-1 Варнавская А.А. (в центре)

Молодым коллегам адресовал свое видеообращение председатель программного комитета Школы-конференции, лауреат Нобелевской премии, вице-президент РАН, ректор Академического университета Жорес Алферов, который из-за неотложных дел в день открытия оказался на совещании в Сколково.

Касаясь важности возрождения в России высокотехнологичных отраслей промышленности, Жорес Иванович отметил, что "в отраслях, связанных с развитием информационных технологий, особое значение имеют оптические методы приема и передачи информации, а в этой области огромную роль играет физика и технология наноструктур и гетероструктур". Как подчеркнул академик, "становление оптоэлектроники прежде всего связано с развитием полупроводниковых гетероструктур"
На конференции доклады представляли как молодые исследователи так и именитые ученые. Конференция затронула такие важные темы как: фотовольтаика, нанобиотехнологии, терагерцовая и микроволновая электроника, полупроводниковые лазеры, рост кристаллов и наноструктур.
Свой стендовый доклад по теме “Quinary InAlGaPAs/GaAs solid solutions grown by temperature gradient zone melting” представил аспирант кафедры “Физика и электроника” Арустамян Давид. В докладе были представлены результаты выращивания пятикомпонентных твердых растворов полупроводников AIIIBV. В работе показана возможность получения пятикомпонентных гетероструктур обладающих высоким кристаллическим совершенством методом зонной перекристаллизации градиентом температуры.


Кроме того свой доклад по теме “Germanium layers grown by zone thermal crystallization from a discrete liquid source” представили ассистент кафедры “Физика и электроника” Яценко Алексей в соавторстве со студенткой Варнавской Анастасией. Они занимаются исследованием нового метода получения германиевых пленок с использованием гексагонального жидкофазного дискретного источника. Метод позволяет выращивать на кремниевой подложке эпитаксиальные слои германия с высокой степенью однородности.


Доклады наших молодых исследователей получили одобрение и их расширенные варианты будут опубликованы в августе этого года в престижном научном журнале Journal of Physics: Conference Series, издаваемым Институтом физики (Великобритания) и входящем в Scopus.
Поздравляем молодых ученых и студентов нашего университета и желаем им дальнейших творческих успехов!