22 сентября 2017 года в г. Москве в Национальном исследовательском ядерном университете МИФИ состоялось 51-е заседание научного семинара Нанотехнологического общества России, посвященное 75-летию МИФИ и 85-летию вице-президента Нанотехнологического общества России, профессора кафедры микро- и наноэлектроники МИФИ Патрикеева Льва Николаевича. В работе научного форума приняли участие более 50 ученых-микроэлектронщиков, в том числе Президент нанотехнологического общества России, член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор Быков В.А., а также ученые из США, Германии и Великобритании. От нашего университета с докладами выступили зав. кафедрой «Физика и электроника», доктор физ.-мат. наук Чеботарев С.Н. и канд. физ.-мат. наук Ирха В.А.

Зав. кафедрой ФиЭ, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н. (слева), вице-президент нанотехнологического общества России, профессор Патрикеев Л.Н. (в центре), преподаватель кафедры ФиЭ, к.ф.-м.н. Ирха В.А.(справа)

В докладе Чеботарева С.Н. представлены результаты исследований закономерностей временной устойчивости и пространственной направленности ионно-лучевого распыления InAs и GaAs, используемого для получения оптоэлектронных наноструктур. Ирха В.А. познакомил слушателей с особенностями получения углеродных аморфных наноструктур методом электронно-стимулированной кристаллизации. Представленные доклады получили высокую оценку специалистов и будут опубликованы в сборнике материалов семинара нанотехнологического общества России.

Зав. кафедрой ФиЭ, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н. знакомится с особенностями подготовки магистров на физико-техническом факультете НИЯУ МИФИ