XXIII международная конференция «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» - крупнейший научный форум физиков и материаловедов прошел с 17 по 23 сентября в г. Туапсе. В работе конференции приняло участие 184 человека, в том числе 32 иностранных специалиста. Конференция проводилась при поддержке Минобрнауки РФ, Российского фонда фундаментальных исследований, Российской академии наук. Прошедшая конференция продолжает серию научных форумов, получивших свое рождение в 1976 году по инициативе академика Осико В.В. и профессора Кубанского госуниверситета Писаренко В.Ф. За эти годы тематика конференции значительно расширилась и включает широкий круг вопросов теоретического, экспериментального и прикладного оптического материаловедения. Традиционно в работе конференции принимают участие научные коллективы РАН, отраслевых институтов, высших учебных заведений, научно-производственных и научно-исследовательских центров России, занимающиеся как теоретическими и экспериментальными исследованиями фундаментальных основ физики конденсированного состояния, так и ее прикладными аспектами.

Делегация нашего университета (слева направо): Еримеев Г.А., Арустамян Д.А., Казакова А.Е., Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Ирха В.А.

Активное участие в работе форума приняла представительная делегация кафедры физики и электроники нашего университета: зав. кафедрой, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н., профессор, д.ф.-м.н. Лунин Л.С., к.ф.-м.н. Ирха В.А., к.ф.-м.н. Пащенко А.С., аспиранты Арустамян Д.А., Казакова А.Е., Еримеев Г.А.

Зав. кафедрой ФиЭ, д.ф.-м.н. Чеботарев С.Н., декан физико-технического факультета КубГУ, д.т.н. Яковенко Н.А., профессор кафедры ФиЭ, д.ф.-м.н. Лунин Л.С., доцент кафедры ФиЭ, к.ф.-м.н. Пащенко А.С. (слева направо)

Большой интерес вызвали доклады наших ученых: Чеботарев С.Н. «Эффекты взаимодействия низкоэнергетического аргонового пучка с приповерхностными слоями кристаллов арсенида индия и арсенида галлия», Ирха В.А. «Свойства наноструктур германия на кремнии, выращенных зонной термической кристаллизацией», Пащенко А.С. «Потенциальные барьеры GaAsBi для гетероструктур InAs/GaAs», Арустамян Д.А. «Исследование свойств гетероструктур GaхIn1-хP1-уAsу/GaAs(InP) и характеристик фотопреобразователей на их основе», Казакова А.Е. «Выращивание и исследование гетероструктур InAlGaPAs/GaAs». В период работы конференции прошли встречи с коллегами из ведущих научно-образовательных центров и обсуждены перспективы совместной научной работы.